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天津大学光电子器件研究获新进展
发布时间:2007-06-15

  21世纪是高度信息化的时代,微电子信息处理的速度不断加快,深入研究半导体量子点材料制备技术及发光机理,可以为开发下一代光电子材料和器件打下理论基础,对于在未来超级计算机和高速通讯的竞争中抢先一步占领相关产业领域的技术制高点具有重要意义。天津大学材料学院承担的天津市自然科学基金重点项目“半导体量子点材料制备技术及发光机理研究”,通过反应溅射获得了超细的硅纳米晶,制备出了带有硅连线的多孔硅,为制备良好电接触的多孔硅电致发光器件提供了可能。该项目在单元素量子点材料的发光理论方面取得了突破,开发出了具有激光增益性能的单元素量子点材料。项目组在Journal of Applied Physics、Semiconductor Science & Technology、Applied Surface Science、Scripta Materialia、Materials Letters、Materials Science &Engineering B等国外权威杂志和《实验技术与管理》、《材料导报(纳米与新材料专辑Ⅱ)》等中文版核心期刊上共发表论文16篇,其中被SCI收录13篇;申请专利1项。该项目培养博士生4人,硕士生12人,同时连续获得2项国家自然科学基金支持和1项天津市自然科学基金支持。                                  
               

   (天津大学材料学院  杜希文)

 
 

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