中国电子科技集团公司第四十六研究所创建于1958年，是我国最早从事半导体材料和光纤技术研究与开发的专业性研究所之一，是中国电子材料行业协会的理事长单位，信息产业部电子专用材料质量监督检测中心设在所内。该所现有在职职工590人，各类专业人员290人，占职工总人数的49%，中、高级技术职称人员166人，享受政府特殊津贴14人。
　　经过四十多年的发展，四十六所已成为国内重要的军工电子材料研制生产单位，已形成砷化镓（GaAs）材料、特种硅材料、碳化硅(SiC)单晶材料、特种光纤及其部件、半导体专用设备、电子材料理化检测及电子元器件失效分析等六大专业领域。主要产品覆盖1、2、3代半导体材料（即硅材料、GaAs材料、SiC单晶等材料）、特种光纤及元器件、户用热计量表、智能显示仪表等，大多为军用电子元器件提供配套，主要应用于超高速集成电路、微波毫米波器件、粒子探测器、相控阵雷达、光纤陀螺、精确制导、电子对抗等方面。
　　一、依靠科技进步，提高自主创新能力
　　近二十年来，四十六所完成科研项目348项，其中省部级以上鉴定成果294项，重大科技成果107项，共获得省部级以上奖励111项，申报专利15项。我国第一棵硅单晶、第一棵4英寸GaAs单晶、第一棵6英寸GaAs单晶、第一棵SiC单晶及第一批熊猫型保偏光纤等都在我所研制成功。
　　四十六所在半导体功能材料、特种光纤材料及半导体专用设备研制领域，通过自主创新，取得了数十项重大技术突破和多项自主知识产权的专利技术，成为国内重要的军用半导体功能材料和特种光纤材料的研发及配套产品供应单位；在先进半导体材料，特别是宽禁带半导体材料及晶片后加工技术、特种光纤及其光器件、电子材料微分析及元器件失效、可靠性分析等方面居国内领先水平；在电子功能材料等领域已形成一些技术基础优势，具备了进入国际竞争的可能；在GaAs材料等方面已初步建立了从专用设备设计、制造，到单晶材料生长，晶片加工等一系列完整的技术平台，突破并确立了多项具有自主知识产权的关键技术，与国外同类技术相比，具有独特的工艺可控性及实用性，同时成本低于国外产品。
　　为打破国外的技术垄断，四十六所于2006年自主研发成功具有自主知识产权的碳化硅单晶炉，经多批次开炉试验，碳化硅单晶炉的性能完全达到进口设备的能力，部分性能优于进口设备，为批量研制SiC单晶材料奠定了坚实的基础。
　　近几年来，针对照明及显示技术的巨大市场前景，四十六所投入大量资金及人员进行研发攻关，目前已成功地自主研制生产出VB砷化镓单晶炉26台，可实现年产VB砷化镓单晶材料5万片的加工生产能力。未来计划进一步加速该项目产业化的发展，分二期进行建设，第一期投资1.2亿元，利用该所已有的自主知识产权，通过低成本扩张的模式将VB单晶炉增加至200台，实现年产VB砷化镓单晶片100万片的能力；第二期投资2.8亿元，再增加VB单晶炉300台，同时自制SiC单晶炉20台并引进MOCVD外延设备2台，用于生产氮化镓（GaN）外延材料。通过项目实施，可使天津市成为我国半导体照明、显示及光电子产业的基地，将极大地提高天津市在全国光电子产业中的地位，并成为世界最大的光电子用GaAs材料的供应地，加速实现天津市光电子产业由劳动密集型向技术密集型产业转移，并填补天津市SiC材料、GaN外延材料等高新技术材料的空白，取得可观的经济效益，带动天津光电等相关产业的发展。
　　二、“十一五”期间发展目标
“十一五”初期，四十六所已获得国家近2亿元的资金投入，将用于“两个平台”和“两个中心”的重点建设。即电子功能晶体材料后工艺加工平台和特种光纤材料及其光器件研发平台，半导体功能材料研发中心和特殊用途电子材料质量分析测试认证中心，实现材料（包括半导体晶体材料以及特种光纤等光电子材料）研发和工程化应用配套自主创新能力的提升，使四十六所逐步发展成为天津市乃至全国的关键材料及相关核心元器件的研制生产基地。